半導體消融微波功率源課件

上傳人:嘀****l 文檔編號:253029691 上傳時間:2024-11-27 格式:PPT 頁數(shù):7 大?。?.46MB
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1、Click to edit Master title style,Click to edit Master text styles,Second level,Third level,Fourth level,Fifth level,*,*,單擊此處編輯母版標題樣式,單擊此處編輯母版文本樣式,第二級,第三級,第四級,第五級,*,*,半導體微波消融功率源,半導體固態(tài)功率源是半導體射頻能量應用的核心部件,采用最先進的高效率,LDMOS,以及,GaN,器件,結合智能控制與傳感設計,完成了全新的半導體固體源產(chǎn)品系列,具備以下技術優(yōu)勢:,功率與輻射能量精確控制,頻率與相位的精確控制與調(diào)節(jié),智能的負載反饋與

2、自適應調(diào)節(jié),面向不同場景的的任意信號發(fā)生器,實時的狀態(tài)監(jiān)測與反饋,靈活豐富的控制接口與良好擴展,低電壓、高效率、安全性,Comba,固態(tài)源原理框圖,產(chǎn)品典型指標,產(chǎn)品型號,PA2450T-250A,工作頻率,2400MHz2500MHz,額定功率,250W/54dBm,額定效率,55%Pout=54dBm,實時狀態(tài)監(jiān)測,輸出功率,/,反射功率,/,溫度,/,駐波比,波形發(fā)生,正弦波,三角波,脈沖波,負載自適應,實現(xiàn)全頻段負載掃描與實時自適應,監(jiān)控接口,I2C/RS-485,任意可選,尺寸,200,*,70,*,20,(,mm,),Comba,完成了,ISM,常用頻段,433/915/2450

3、MHz,功率等級,50W/250W/500W,的功率源系列,可應用于家用微波加熱、工業(yè)加熱、微波醫(yī)學等多領域,半導體微波功率源原理框圖,微波消融射頻傳輸框圖,微波消融射頻能量傳輸,幾個關鍵射頻功率指標的計算方法:,A,:消融針天線有效發(fā)射功率(即有效消融微波功率),Pout_E,=,固態(tài)源發(fā)射功率,Pout,-,微波電纜正向損耗功率,P_L1,-,微波消融針電纜正向損耗功率,P_A1,-,負載失配反射功率,Pref_A,B,:功放接受反射功率,Pref_S,=,負載失配反射功率,Pref_A,-,微波消融針電纜反向損耗功率,P_A2,-,微波電纜反向損耗功率,P_L2,C,:微波消融針耗散功率

4、,=,微波消融針電纜正向損耗功率,P_A1,+,微波消融針電纜反向損耗功率,P_A2,關鍵概念定義,A,:,消融,針天線在標準負載狀態(tài)下設計匹配頻點為,2.45GHz,,實際使用中,與組織介電常數(shù)相關,會造成負載失配;,B,:組織消融的效果只與消融針天線的有效發(fā)射功率有直接關系;,C,:輸出負載失配將會造成較嚴重的功率反射,導致有效發(fā)射功率降低;,D,:輸出失配會對微波消融針內(nèi)芯電纜溫度造成持續(xù)性惡化影響;,假設需求微波消融有效功率固定,輸出負載失配,/,失配程度惡化,反射功率增大,有效功率降低,提高輸出功率,微波消融針耗散功率增加,微波消融針針桿溫度提升,近針桿處組織碳化嚴重,輸出負載失配后

5、造成的惡化循環(huán),微波消融射頻能量傳輸,舉例計算:,以固態(tài)源輸出功率,100,瓦,為例,實測,2.4GHz2.5GHz,頻率下,當天線插入目標負載(豬肝組織)功放輸出回波掃頻圖形如右圖:,根據(jù)圖示:在,2.45GHz,狀態(tài)下,功放輸出負載,S11,測試值為,6.5dB,,匹配最佳點,2428MHz,,,S11,為,-14dB,;,估算,微波電纜損耗為,1.5dB,(按照,1.5m,計算),微波消融針內(nèi)芯同軸電纜損耗為,0.6dB,(按照,25cm,計算);則,2.45GHz,,天線有效輸出功率僅為:,25,瓦,,有效功率利用僅為,25%,,針桿損耗功率達到,13.8,瓦,當頻點自適應為,2.42

6、8GHz,(最佳匹配頻點時),天線有效功率提升至,55,瓦,,提升達到,117%,,同時降低針桿損耗功率至,10,瓦,不僅可以大幅度提升消融速度,還能夠降低針桿溫度,穩(wěn)定消融效果。,而我們消融過程中實際所需消融功率就是,25,瓦,則在最佳匹配點下,需要固態(tài)源輸出功率僅為,46,瓦,,針桿損耗功率降低至,4.6,瓦,,較失配狀態(tài)下輸出降低,66.5%,,可以非常有效的降低設備在功耗、輻射等方面的影響,同時,大幅度降低針桿損耗功率,降低桿溫,提高手術質(zhì)量,同等功率下,消融效率提升,100%,同等消融時間下,微波功率降低,50%,針桿損耗降低,66%,,桿溫大幅度下降,真實連續(xù)功率,安全可靠,應用總

7、結:,內(nèi)容總結,半導體微波消融功率源。半導體固態(tài)功率源是半導體射頻能量應用的核心部件。采用最先進的高效率LDMOS以及GaN器件,結合智能控制與傳感設計,完成了全新的半導體固體源產(chǎn)品系列,具備以下技術優(yōu)勢:。頻率與相位的精確控制與調(diào)節(jié)。面向不同場景的的任意信號發(fā)生器。低電壓、高效率、安全性。輸出功率/反射功率/溫度/駐波比。Comba完成了ISM常用頻段433/915/2450 MHz 功率等級50W/250W/500W的功率源系列,可應用于家用微波加熱、工業(yè)加熱、微波醫(yī)學等多領域。A:消融針天線有效發(fā)射功率(即有效消融微波功率)Pout_E。A:消融針天線在標準負載狀態(tài)下設計匹配頻點為2.45GHz,實際使用中,與組織介電常數(shù)相關,會造成負載失配。B:組織消融的效果只與消融針天線的有效發(fā)射功率有直接關系。輸出負載失配/失配程度惡化。反射功率增大,有效功率降低。應用總結:,

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